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逐层生长是指外来原子在基底表面上沉积时

逐层生长是指外来原子在基底表面上沉积时,只有在第一层完全形成后才开始第二层的沉积。显然在形成第一层需膜时,涉及的是沉积物在异质表面上的成核、迁移扩散。一旦第一个单原子层薄膜形成,随后薄膜的成核,生长过程,涉及的将是生长物表面的自扩散,并以一层接一层方式生长。一般把这种薄膜生长方式称为Frank-Van der Merwe生长方式。 [1]
膜每次大约沉积一单层;也就是说,每层厚度在原子间间隔级,并因此称为原子层处理。对于原子层处理,衬底顺序地被暴露于反应物流,这样,反应受限于饱和表面吸收的/化学吸附的反应物与后续脉冲提供的第二气相反应物之间的表面反应。这样,一旦表面吸收的反应物被消耗完后,反应物常常自限制,从而形成单层膜。最近,已经显示通过同样的技术促使由原子层沉积向交变层沉积(alternating layerdeposition)转变,可获得亚单层或若干单层。ALP技术已经被用于沉积外延生长和非外延生长膜。沉积外延生长膜的工艺称之为原子层外延生长(ALE),而沉积非外延生长膜的技术传统上称为原子层沉积(ALD)。ALP的蒸气源反应物可以是气体源或由热蒸发作用、液体源蒸发作用或远程等离子体分解产生的