咨询电话
18055007770
联系我们
18055007770
邮箱:
28631837@qq.com
电话:
18055007770
传真:
18055007770
手机:
18055007770
地址:
滁州市世纪大道801号(昭阳工业园)10号厂房3层
ALD原子层沉积技术及应用
典型的ALD沉积过程—Al2O3沉积过程
典型的ALD沉积过程—Al2O3沉积过程

前言

   单原子层沉积(Atomic Layer DepositionALD),起初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy)最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS : Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制,这些材料是用于平板显示器 

     由于这一工艺涉及复杂的表面化学过程和低的沉积速度,直至上世纪80年代中后期该技术并没有取得实质性的突破。但是到了20世纪90年代中期,人们对这一技术的兴趣在不断加强,这主要是由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降低,而器件中的高宽比不断增加,这样所使用材料的厚度降低至几个纳米数量级。因此原子层沉积技术的优势就体现出来,如单原子层逐次沉积,沉积层极均匀的厚度和优异的一致性等就体现出来,而沉积速度慢的问题就不重要了。